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半導體單晶硅傳感器材料受到外力作用

時間:2022-08-15 點擊次數:

當半導體單晶硅傳感器材料受到外力作用,產生肉眼無法察覺的極小應變時,原子結構內的電子能級狀態發生變化,導致電阻率劇烈變化,材料產生的電阻發生很大變化,稱為壓阻效應,我們在20世紀50年代才開始發現和研究這種效應的應用價值。


LF-605A

利用壓阻效應原理,采用三維集成電路工藝技術和一些特殊工藝,在單晶硅片上的特定晶體方向,制作應變電阻傳感器,利用硅的彈性力學特性,在同一硅片上進行特殊機械加工,集應力敏感性和力轉換檢測于一體,稱為固體壓阻傳感器。

固態壓阻壓力傳感器誕生于20世紀60年代末,顯然,與傳統的膜合電位計、力平衡、變電感、變電容、金屬應變片和半導體應變片傳感器相比,它在壓力測量領域仍然是最新一代傳感器。由于各自的特點和局限性,雖然不能完全取代上述機械量傳感器,但自20世紀80年代中期以來,在美國、日本和歐洲傳感器市場,它一直是壓力傳感器中的牛耳品種,幾乎與加速度傳感器的國際市場平分。目前,在具有大規模集成電路技術和計算機軟件技術干預的智能傳感器技術中,它仍然是最引人注目的,因為它可以制成單片式多功能復合敏感元件,形成智能傳感器的基礎。


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